化学气相沉积（CVD）工艺

在 CVD 过程中，需要将反应气体输送到真空腔室中，在高温和催化剂作用下，气体在晶圆表面发生化学反应，形成各种薄膜，如二氧化硅、氮化硅等。耐腐蚀真空泵的作用是维持腔室的高真空度，确保反应气体能够均匀地分布在晶圆表面，同时及时抽出反应过程中产生的副产物和未反应的气体，防止它们在腔室内积聚，影响薄膜的质量和性能。

物理气相沉积（PVD）工艺

PVD 工艺包括溅射镀膜和蒸发镀膜等，通过物理方法将金属或其他材料沉积在晶圆表面形成薄膜。在溅射镀膜中，利用高能离子轰击靶材，使靶材原子溅射出来并沉积在晶圆上。耐腐蚀真空泵要为溅射过程创造高真空环境，减少气体分子对溅射粒子的散射，提高薄膜的沉积速率和均匀性。在蒸发镀膜中，需要将蒸发源加热到高温使材料蒸发，然后在晶圆表面凝结成膜，真空泵则负责维持蒸发腔室的真空度，保证蒸发过程的顺利进行。

刻蚀工艺

刻蚀是将晶圆表面的光刻胶图案转移到下面的薄膜或半导体材料上的过程，通过化学反应或物理作用去除不需要的材料。耐腐蚀真空泵在刻蚀工艺中至关重要，一方面要维持刻蚀腔室的真空度，使刻蚀气体能够在低压下有效地与晶圆表面发生反应；另一方面，要及时抽出刻蚀过程中产生的挥发性产物，防止它们重新沉积在晶圆表面，影响刻蚀的精度和效果。

离子注入工艺

离子注入是将特定离子加速并注入到晶圆内部，以改变半导体材料的电学性质。在离子注入过程中，需要在真空环境下进行，以避免离子与气体分子碰撞而散射，降低注入的精度。耐腐蚀真空泵用于维持离子注入机的真空腔室的真空度，确保离子能够准确地注入到晶圆的预定位置，同时防止腔室内的残余气体对离子束产生干扰，保证注入的均匀性和重复性。

清洗工艺

半导体晶圆在制造过程中需要经过多次清洗，以去除表面的杂质、颗粒和有机物等污染物。一些清洗工艺采用了真空干燥或真空清洗技术，耐腐蚀真空泵在这些工艺中用于抽取清洗腔室内的空气和水汽，形成真空环境，加速干燥过程，提高清洗效果，防止清洗后的晶圆表面再次被污染。